電鍍工藝綜合--電鍍生產(chǎn)線(xiàn)
- 分類(lèi):行業(yè)動(dòng)態(tài)
- 作者:
- 來(lái)源:
- 發(fā)布時(shí)間:2018-10-13
- 訪(fǎng)問(wèn)量:14
【概要描述】除了基本配方法,電鍍的是否能實(shí)用化全在添加劑,尤其對于小孔深孔等高難度的板子,助劑更是非常重要。
電鍍工藝綜合--電鍍生產(chǎn)線(xiàn)
【概要描述】除了基本配方法,電鍍的是否能實(shí)用化全在添加劑,尤其對于小孔深孔等高難度的板子,助劑更是非常重要。
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一.添加助劑
除了基本配方法,電鍍的是否能實(shí)用化全在添加劑,尤其對于小孔深孔等高難度的板子,助劑更是非常重要.一般助劑約可分為光澤劑Brightener,整平劑,載運劑,細晶劑,潤濕劑.此等助劑之理論基礎尚不成熟,多半是來(lái)自不斷實(shí)驗的結果,故幾乎全為商業(yè)化的范圍,其參考來(lái)源多為各種專(zhuān)利,但已發(fā)表者幾乎都已過(guò)時(shí)而不再是第一流的產(chǎn)品了,現役上市者多在階段.由各數據看來(lái)硫酸銅鍍液之微布力非常好能將待鍍面上種細小的刮痕及凹陷先預以填平,再鍍全面.但對PTH的孔壁而言,要想發(fā)揮這微分布的優(yōu)點(diǎn),則必須要使高濃度的鍍液能夠不斷的流進(jìn)去,降低陰極膜的厚度,才是施展其長(cháng)處的首要條件。
二.小孔或深孔鍍銅的討論
電路板的裝配日趨緊密,其好處不外減少最后產(chǎn)品的體積及增加信息處理的容量及速度.尤其自VLSI大量開(kāi)發(fā)后,IC在板子上的裝配已由早期的通孔插裝,漸改進(jìn)至表面黏裝之SMT了.對板子而言細線(xiàn)及小孔是必然要面對的問(wèn)題.而就小孔而言,受沖擊最大的就是現有的鍍銅技術(shù),要在孔的長(cháng)寬比很高時(shí),既要得到1mil厚的孔壁,又不可發(fā)生狗骨現象,面且鍍層的各種物性雙要通過(guò)現有的各種規范,其中種種需待突破的困難實(shí)在不少.各國的業(yè)界現正從基本配方、添加劑、設備等多方面努力,至今尚少重大的突破.現將小孔的難鍍以下列事實(shí)討論之.實(shí)體部份遠大于孔徑部份,比種強力的水流幾乎都浪費在板面的阻礙上了.解決辦法之一就是使液中的銅濃度增加,或可減少通過(guò)的次數,但這也是一條行不通的死巷,因2oz/gal的銅量幾乎是板面與孔壁的鍍層均勻頒比率的上限,再提高時(shí)狗骨會(huì )變嚴重,已不是添加劑所能幫忙的了.解決辦法之二是改進(jìn)化學(xué)銅鍍層的物性使能達到規范的要求,目前日立公司的TAFⅡ制程,已進(jìn)行數年的研究。
現階佒對硫酸銅鍍液所能做的事約有:
(1)選擇高純度的物定助劑,如特殊的整平劑使在高電流處抑制鍍層增加,使低電流處仍能有正常登陸,并嚴格分析、小心添加、仔細處理以保持鍍液的最佳效果.
(2)改變鍍的設計,加大陰陽(yáng)間的距離,減少高低電流密度之間的差異.
(3)降低電流密度至15ASF以下,改善整流器出來(lái)直流的紋波量至2%以下.若不行時(shí)將電流密度再降低到5ASF,以時(shí)間換取質(zhì)量.
(4)增強鍍液進(jìn)出孔中的次數﹐或稱(chēng)順孔攪拌﹐此點(diǎn)最為重要﹐也最不容易解決﹐加強過(guò)濾循環(huán)每小時(shí)至少2次,蔌嗇超音波攪拌.
(5)不要增加銅的濃度但要增大硫酸與銅的濃度比值,至少要在10/1以上.
(6)助劑添加則應減少光澤劑用量,增加載體用量,并用安培小時(shí)計管理添加,定時(shí)用CVS分析助劑之裂解情形.
(7)試用脈波電流法試鍍,以減少面銅與孔銅之間的差異,并增加銅層的延展性,并能以不加添加劑的方式使鍍層得以整平。
脈波方式的電流,是一種非常值得研究的路徑,先期的成果也非常值得研究的路徑,先期的成果也非常令人興奮,只可惜市場(chǎng)上許多添加劑供貨商并不熱衷,為保既得利益不大支持研究.因一旦可從電流供應的方式使鍍層得以改善,則銷(xiāo)售已久的添加劑可能乏人問(wèn)津,或需另起爐灶,皆非所顧也.總而言之,PCB的小孔及深孔鍍銅待突破的地方還多得很,實(shí)非一蹴可及的.理論上每次進(jìn)入孔中的鍍液其之銅量都全部留在孔壁上時(shí)所需要的次數為300次.何況在實(shí)際電鍍銅所遭到的電流密度效率、陰極膜等等煩惱,實(shí)際上可能連20%的銅都未鍍出.若再遇到長(cháng)寬比.125/.012或10/1的板子時(shí),其所需的理論換液次要高達380次,以20%的登陸成果而言,至少也要有2000回合以上的Turnover才行.然而其困難尚不僅此而已,孔徑變小后,孔壁面積的減少遠不如流速的劇烈減低.以8mil孔與25mil孔比較,其面積只減少33%,但流速卻劇降至1.25%,更增加了更換2000次的困難。
即使上述可行,還要克服鍍液的內聚力、與孔壁的阻力、分子引力、及陰極膜的障礙,故強力的水流是絕對需要的。
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